Selektive Laserstrukturierung von dielektrischen Schichten : Im Fokus steht der selektive Abtrag von Single- und Multilayern wie SiO2, Ti3O5, Si und BK7.

In der Arbeit werden verschiedene theoretische Modelle vorgestellt, die erlutern welche Mglichkeiten es gibt, dass es zu einer Absorption in den transparenten Beschichtungsmaterialien kommt und welche Faktoren die Absorption beeinflussen. Hierbei wird vor allem auf die lineare und nichtlineare Absorption von Photonen eingegangen. Zudem wird analysiert welchen Stellenwert die Grsse der Bandlcke, im Bezug auf die Bearbeitung bei einer bestimmten Wellenlnge, einnimmt. Basierend auf den theoretischen berlegungen, wurden experimentelle Versuche mit den beiden Wellenlngen 355 nm und 1064 nm durchgefhrt und in einer abschliessenden Diskussion miteinander verglichen. Nachdem die Beschichtungen mit dem Laser bearbeitet wurden, wurde das Abtragsverhalten und die Abtragstiefe mit einem Lichtmikroskop und einem Rasterkraftmikroskop untersucht. Fr die Beschichtungen whlte man Ti3O5 und SiO2, als Substrate wurden Si-Wafer und BK7-Glas verwendet.