Peliculas Delgadas de Oxido de Zinc Impurificado Con Aluminio : Dispositivos Semiconductores

En este trabajo se estudi la influencia de la concentracin del dopante y de la temperatura del sustrato sobre la composicin, la morfologa y las propiedades elctricas de pelculas delgadas de xido de zinc impurificadas con aluminio (ZnO:Al). El crecimiento de las pelculas delgadas se realiz por medio de la tcnica de roco piroltico neumtico sobre sustratos de vidrio sodoclcico. La metodologa empleada para la formacin de la pelcula fue una disolucin de partida 0.2 M de pentaneidonato de zinc y pentaneidonato de aluminio.