Teoreticheskoe Issledovanie Tonkikh Plenok Karbida Kremniya

Karbid kremniya predstavlyaet soboy perspektivnyy material, shiroko primenyaemyy v poluprovodnikovoy tekhnike. On obladaet ryadom unikal'nykh svoystv,chto mozhet pozvolit' uluchshit' prakticheski vse kharakteristiki priborov silovoy i tsifrovoy elektroniki, sozdannykh na ego osnove.Razvitiyu poluprovodnikovoy SiC-elektroniki prepyatstvuet nizkoe kachestvo vyrashchivaemykh monokristallov karbida kremniya. Poluchenie kachestvennykh malodefektnykh kristallov SiC opredelennogo politipa sopryazheno s ryadom trudnostey, i odna iz nikh - effektivnaya sistema upravleniya protsessom rosta kristalla. Osnovnaya ideya dannoy raboty zaklyuchalas' v izuchenii struktury, svoystv i vozmozhnosti polucheniya grafenopodobnogo 2D SiC. Bylo izucheno vliyanie chisla sloev na vozmozhnost' perekhoda iz odnoy modifikatsii karbida kremniya v druguyu. Byli izucheny sistemy 2D SiC na plastinkakh Mg (0001) i Zr (0001), kak na potentsial'nykh materialakh dlya podlozhek pri vyrashchivanii monosloya, a takzhe issledovano povedenie defektov v monosloe SiS i ikh vliyanie na fizicheskie svoystva materiala.