Epitaksial'nye Sloi Nitridov Alyuminiya I Galliya Na Kremnii

Nitrid gallievye struktury, kotorye shiroko ispol'zuyutsya v elektronnykh i optoelektronnykh priborakh, v nastoyashchee vremya preimushchestvenno vyrashchivayut na sapfirovykh i karbid-kremnievykh podlozhkakh. V poslednee vremya voznik interes k polucheniyu takikh struktur na kremnievoy podlozhke. Eto obuslovleno perspektivami integratsii nitrid-gallievoy i kremnievoy elektroniki, vozmozhnost'yu ispol'zovaniya podlozhek bol'shikh (do 300 mm) razmerov, ikh nizkoy stoimost'yu, khoroshey elektricheskoy provodimost'yu. V obzore predstavleny eksperimental'nye rezul'taty epitaksial'nogo rosta, naibolee deshevym metodom - metodom gazofaznoy khloridno-gidridnoy epitaksii, sloev nitridov galliya i alyuminiya na kremnievoy podlozhke. Obsuzhdaetsya novyy podkhod podavleniya protsessa obrazovaniya dislokatsiy i odnovremennogo snizheniya uprugoy deformatsii v nitridnykh sloyakh na podlozhke kremniya za schyet primeneniya tonkogo dopolnitel'nogo sloya karbida kremniya. Avtorami rassmotreny vozmozhnosti epitaksial'nogo rosta sloev nitrida galliya v polupolyarnom napravlenii na planarnoy podlozhke kremniya. Kniga budet polezna kak studentam i aspirantam, tak i professionalam v oblasti geteroepitaksii sloev na kremnii.