Kristally GE-Si I Ikh Svoystva : Poluchenie i jelektricheskie svojstva tvjordyh rastvorov Ge-Si, slozhnolegirovannyh primesyami medi, indiya i sur'my

V rabote predstavleny rezul'taty issledovaniy po polucheniyu slozhnolegirovannykh kristallov Ge-Si, s zadannym sostavom i kontsentratsiey primesey medi, indiya i sur'my, a takzhe po elektrotransportnym svoystvam i spektru primesnykh sostoyaniy v etikh materialakh.V priblizhenii polnost'yu razmeshennogo rasplava, reshena teoreticheskaya zadacha po kontsentratsionnomu raspredeleniyu osnovnykh komponentov i primesey v kristallakh tvyerdykh rastvorov, vyrashchennykh iz rasplava konservativnymi i nekonservativnymi metodami. Pokazano, chto poluchennye matematicheskie sootnosheniya udovletvoritel'no opisyvayut eksperimental'nye dannye po raspredeleniyu komponentov i primesey indiya i sur'my v kristallakh germaniy-kremniy. Razrabotany metodiki vyrashchivaniya i legirovaniya primesyami In i Sb kristallov Ge-Si (0kh0,30) s zadannoy kontsentratsiey primesey metodom napravlennogo kontsentratsionnogo pereokhlazhdeniya i konservativnym metodom Bridzhmena. Ustanovleno, chto koeffitsienty segregatsii issledovannykh primesey izmenyayutsya lineyno s sostavom tvyerdykh rastvorov germaniy-kremniy.