Elaboration de Films de (La, Sr)2nio4 Et (Ba, Sr)Tio3 Par Ablation Laser : Croissance épitaxiale de perovskites sur substrat silicium pour l'intégration de condensateurs de forte capacité

Cette tude est une tentative d'pitaxie par ablation laser de l'oxyde de forte permittivit Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) sur silicium en vue de l'intgration de condensateurs de forte capacit. Nous montrons d'abord l'effet bnfique d'une croissance de BST oriente selon les plans (h00) sur substrat monocristallin SrTiO3(100) sur la valeur de la permittivit du film. Comme par ailleurs nous confirmons que la croissance du BST sur substrat Pt(111)/TiOx/SiO2/Si (0