Fiabilit� Et S�ret� de Fonctionnement Des Composants �lectroniques

Les progrs raliss dans l'lectronique conduit une relance du dbat sur la fiabilit et la dure de vie des composants ou des systmes. La temprature limite la dure de vie et joue un rle essentiel dans les mcanismes de dgradation, nanmoins reste la principale cause dans la majorit des cas. Dans ce contexte, ce livre prsente une synthse des effets de porteurs chauds sur les performances de dispositif RF LDMOS de puissance, aprs tests de vieillissement sous diverses conditions. Une caractrisation prcieuse (IC-CAP) a t effectue et un nouveau modle lectrothermique (ADS) a t implant prenant en compte l'volution de la temprature, lequel est utilis comme outil de fiabilit (extraction des paramtres). Par la suite, un examen complet des drives des paramtres lectriques critiques est expos et analys. Pour parvenir une meilleure comprhension des phnomnes physiques de dgradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel une simulation physique 2-D (Silvaco-Atlas). Finalement, l'tude montre que le mcanisme de dgradation est le phnomne d'injection des porteurs chauds dans les piges d'oxyde dj existants et/ou dans l'interface Si/ SiO2.