Plasma tzen Zur Herstellung Von Siliziumdurchkontaktierungen Mit Kontrolliertem Seitenwinkel F r Die Dreidimensionale Integration Im Wafer Level Packaging.

Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfhigkeit und vielfltigerer Funktionalitt. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkrzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmatzen entwickelt. Hierzu werden die oberflchenphysikalischen Vorgnge bei der tzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der tzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der tzraten im TSV erlaubt Vorhersagen ber die Formentstehung whrend des tzverlaufes. Das Modell wird durch tzversuche verifiziert und ermglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhngigkeit der Prozessparameter.