Mouvement Des Dislocations Dans l'H lium-4

Nous avons de couvert que le module de cisaillement des monocristaux d'he lium-4 pre sentait une grande re duction dans une direction particulie`re quand les dislocations se de placent librement. Cette "plasticite ge ante" (car due au mouvement des dislocations) apparai^t a` suffisamment basse tempe rature lorsque les phonons thermiques disparaissent et se poursuivrait jusqu'au ze ro absolu si les impurete s d'He-3 e taient supprime es. En e tudiant des monocristaux d'orientations diffe rentes, nous avons identifie le plan de glissement des dislocations : le plan de base de la structure hexagonale compacte. Nous avons aussi de montre que l'amortissement apparaissant a` plus haute tempe rature est cause par des collisions avec les phonons thermiques, ce qui nous a permis de mesurer pre cise ment la densite et la longueur libre des dislocations Une dernie`re se rie de mesures nous ont prouve qu'il existait une vitesse critique des dislocations en dessous de laquelle les impurete s accroche es a` la dislocation se de placent avec elle. Nous tentons de comparer ce comportement a` celui des cristaux classiques.