Effet Du Dopage Au Silicium Sur Les Propri t s Optiques de Gaasn

Dans ce travail, nous prsentons une tude exprimentale par photoluminescence sur des couches de GaAsN dopes au silicium. En premier lieu, nous donnerons une description de la structure cristalline, de la structure de bandes des matriaux III-V (en particulier de GaAs), ainsi que des proprits optiques et des conditions d'interaction rayonnement-semiconducteur. Ensuite, une tude thorique sera ddie au modle d'anticroisement de bandes (BAC) qui permet une meilleure interpretation des observations exprimentales inhabituelles (diminution de l'nergie de la bande interdite, augmentation de la masse effective et paramtre de courbure gant) suite l'incorporation de l'azote dans la matrice de GaAs. Enfin, nous aborderons l'tude de l'effet du dopage sur les couches de GaAsN ainsi que l'analyse des rsultats exprimentaux par photoluminescence.