D�position de Couche Mince A-Si

Cet ouvrage est une tude sur la dposition de couche mince a-Si:H labore partir d'un mlange (SiH4 + H2) par les procds CVD assists par plasma. Pour la simulation numrique, nous avons utilis la mthode de Monte Carlo. Le modle cintique collisionnel choisi a permis d'tudier les phnomnes physico-chimiques et les proprits collisionnelles dans le volume du racteur et la surface du substrat. Pour calculer les probabilits de la ractivit des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept : la probabilit de ractivit sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilit calcule, permet de calculer analytiquement les probabilits de collage, de recombinaison et de ractivit la surface. A nos connaissances, c'est le premier modle analytique qui calcul ces probabilits. Pour des tempratures du gaz variant de 373 K 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calcule est 0,30 0,08. Cette valeur est la mme que celle mesure dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons prsent aussi un traitement de l'aspect fluide en rsolvant l'quation de diffusion.