Mod�lisation Du Courant Drain Induit Par La Grille

En se basant sur le modle des bandes d'nergie nous avons propos un modle labor du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales relles du champ lectrique transversal et du profile du dopage dans la rgion de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande bande dans le transistor est attribu non seulement l'existence d'un champ lectrique transversal mais aussi au champ lectrique latral. Par consquent, le courant de fuite d l'effet tunnel bande bande n'est plus constant pour la mme valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille diffrentes et il dpend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille sparment. En modlisant la densit des dfauts localiss dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les rsultats de simulation rvlent que le courant de fuite dpend des deux types des dfauts (accepteurs et donneurs). Une mthode numrique a t propose pour le calcul du taux tunnel bande bande assist par les tats d'interface afin de clarifier l'impact des tats d'interface sur le courant de fuite.