Konzipierung Eines Alternativen Designs F r Einen Hochvolt-Operationsverst rker : Die Eignung Von Galliumnitrid-Basierten Transistoren F r Den Aufbau Eines Hochleistungs-Operationsverst rkers

Da auf der Basis von Silizium nur aufwndig konstruierte, teurere hybride Operationsverstrker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verfgbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kostengnstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Galliumnitrid-Bauteilen in der Endstufe Hochvolt-Operationsverstrker realisieren lassen. Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren fr den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstrkers konnte sowohl in Simulationen als auch anhand der Charakterisierung der konzipierten Schaltung nach deren Aufbau auf einer Leiterplatte nachgewiesen werden. Die Messergebnisse besttigten, die durch die Simulationen vorhergesagten Werte fr die Verstrkung, whrend die gemessenen Verstrkungsbandbreiten erwartungsgem aufgrund von parasitren Kapazitten hinter den Werten aus den Simulationen zurckblieben. Mit dem im Rahmen dieser Studie erstellten Schaltungskonzept wurde eine experimentell verifizierte Grundlage fr weitere Arbeiten zum Aufbau eines vollstndig Galliumnitrid-basierten Operationsverstrkers geschaffen.