Inzheneriya Defektov V Tekhnologii Poluprovodnikov

Razrabotka novykh priborov ili sushchestvennoe uluchshenie ikh parametrov nuzhdayutsya v razvitii fizicheskikh osnov inzhenerii defektov v ikh tekhnologii. Dlya sozdaniya novogo pokoleniya silovykh vysokovol'tnykh priborov (SVP) potrebovalas' razrabotka tekhnologii izgotovleniya struktur s p-n perekhodami na osnove bezdislokatsionnogo neytronno-legirovannogo kremniya bol'shogo diametra. V takikh strukturakh dominiruyushchim tipom strukturnykh defektov yavlyayutsya sobstvennye tochechnye defekty (STD) i ikh kompleksy. Povedenie STD pri kharakternykh dlya SVP temperaturakh i vremenakh ne bylo izucheno, i otvergalos' ikh uchastie v formirovanii elektricheski aktivnykh tsentrov. Pri zarozhdenii kremnievoy optoelektroniki vyskazyvalis' somneniya o vozmozhnosti sozdaniya svetodiodov na osnove kremniya, poskol'ku on yavlyaetsya ne pryamozonnym poluprovodnikom. Sozdanie effektivnykh svetodiodov potrebovalo issledovaniya protsessov obrazovaniya strukturnykh defektov, elektricheski i opticheski aktivnykh tsentrov pri legirovanii kremniya ionami erbiya. V knige predstavleny fizicheskie osnovy inzhenerii defektov v tekhnologii kremnievykh silovykh i svetoizluchayushchikh struktur. Kniga rasschitana na studentov i prepodavateley universitetov, aspirantov i nauchnykh rabotnikov.