Defektoobrazovanie V Arsenide Galliya Pri Ionnom Obluchenii

V monografii privedeny eksperimental'nye rezul'taty po nizkoenergetichnomu oblucheniyu monokristallicheskogo arsenida galliya ionami argona s energiey 5 keV. Issledovano vliyanie oblucheniya razlichnymi dozami na strukturnye, opticheskie i fotoelektricheskie svoystva. Obnaruzheno izmenenie svoystv na rasstoyaniyakh znachitel'no prevyshayushchikh glubinu proniknoveniya ionov. Predlozhena fiziko-matematicheskaya model' defektno-dislokatsionnoy perestroyki struktury s klasterizatsiey tochechnykh defektov. Opredeleny osnovnye uravneniya, usloviya primenimosti, proveden teoreticheskiy i chislennyy raschet.