Peliculas Nanocristalinas de GAAS Crecidas Por RF-Sputtering : Desviación hacia el azul de la energía de banda prohibida del material en volumen

El desarrollo tecnológico actual permite sintonizar el espectro de absorción y luminiscencia de materiales semiconductores sobre un rango muy ancho de energía, de alrededor de 1 a 2 eV, por variación del tamaño del microcristal. Esto abre la oportunidad de fabricar láseres sintonizables y diodos emisores de luz basados en nanocristales. El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los semiconductores más usados en la optoelectrónica y por lo tanto el estudio de los efectos del confinamiento cuántico sobre este material es de gran interés. En este libro se describe el crecimiento de películas semiconductoras nanocristalinas de GaAs utilizando un sistema de deposición por erosión catódica (rf-sputtering) y se da una explicación al comportamiento del borde de absorción óptico del material en función del tamaño de grano de los nanocristales. Esta exploración presenta un gran número de posibles variantes experimentales que pueden ser consideradas para continuar desarrollando esta línea de investigación.