Sublimationsschneiden von Silizium mit ultrakurz gepulster Laserstrahlung

Das Sublimationsschneiden mit ultrakurz gepulster Laserstrahlung ist aufgrund der sehr kurzen Wechselwirkungszeiten zwischen Strahl und Material eine vielversprechende Vereinzelungstechnologie für Halbleiterbauelemente. In dieser Arbeit wird, durch Erhöhung der Substrattemperatur in der Schnittfuge, die Absorption der einfallenden Laserstrahlung so lokalisiert, dass ein möglichst hohes Aspektverhältnis resultiert. Weiterhin wird untersucht, welche Prozessparameter das Aspektverhältnis beeinflussen.