Herstellung freistehender Galliumnitrid-Schichten

Diese Arbeit befasst sich mit der Herstellung von freistehenden Galliumnitrid-Schichten mit Hilfe der Hydridgasphasenepitaxie (HVPE). Für die Steigerung der Qualität, Effizienz und Ausbeute bei der Herstellung moderner elektronischer und optoelektronischer Bauelemente aus GaN ist die Verfügbarkeit von defektarmen GaN-Schichten wichtig. Moderne Methoden zur Erzeugung defektarmer Schichten auf Fremdsubstraten stoßen an ihre Grenzen, die durch die große Fehlanpassung zwischen Fremdsubstrat und GaN gegeben sind. Ein Ausweg ist das Wachstum auf GaN-Substraten (Homoepitaxie). Deshalb sollen in dieser Arbeit mögliche Wege und Prozesse untersucht werden, um freistehende GaN-Substrate zu erzeugen.