Les Semi-Conducteurs Ternaires Znxp2 Et Cdxp2 (X=si, Ge, Et Sn) : Etude de premier principe des propriétés électroniques et positroniques des semi-conducteurs ternaires ZnXP2 et CdXP2 (X=Si, Ge, et Sn

Les proprits inhabituelles des composs chalcopyrite ternaire ont engendr un intrt particulier, d'ailleurs plusieurs recherches ont t effectues concernant le domaine d'application, l'intrt technologique, et la possibilit de dveloppement de ces matriaux. Les proprits les plus importantes sont : le gap d'nergie optique et la grande conductivit offertes par ces matriaux qui les mergent rcemment comme des matriaux dispositifs trs important en technologie, incluant des applications dans les cellules solaires photovoltaques et les diodes lectroluminescentes, et cela soit sous forme des matriaux nano- cristaux (plus de 12% d'efficacit), ou bien des couches minces poly cristalline ( au moins de 9.4% d'efficacit). Notre but dans ce travail c'est d'tudier les proprits lectroniques et positroniques des semi- conducteurs chalcopyrites ternaires ZnXP2 et CdXP2 (X=Si, Ge, et Sn) en utilisant la mthode du premier principe FPLAPW. Pour cela, une tude comparative avec les composs binaire de type Zinc Blende a t dveloppe sur les proprits structurales, lectroniques, optiques et mme positroniques.