Mod�lisation Pr�dictive Du Transistor Mosfet Fortement Submicronique

L'industrie des composants ULSI exige des investissements financiers de plus en plus lourds pour mesurer la sophistication grandissante des produits fabriqus ainsi que pour les quipements ncessaires leur laboration. De ce fait, la modlisation lectrique des composants lectriques constitue actuellement un axe de recherche trs convoit travers le monde. Pour suivre cette volution, les modles existants doivent tre amliors et de nouveaux modles doivent tre dvelopps. Dans ce travail, on prsente l'applicabilit des rseaux de neurones pour le dveloppement d'une approche analytique permettant l'valuation de dgradation des transistors MOSFETs, le dveloppement d'un modle neuronal de DG MOSFET qui permet d'tudier les circuits CMOS nanomtriques et ainsi la possibilit de produire des abaques graphiques pour l'tude et l'optimisation de la rduction dimensionnelle des transistors DG MOSFETs. Les diffrents modles dvelopps dans ce travail peuvent tre implments dans les simulateurs lectroniques (SPICE, CADENCE, . .) afin de tirer des conclusions pratiques qui sont de nature intresser tous ceux qui sont appels raliser des circuits de technologie ULSI.