Transitions Intersousbandes Dans Les Nanostructures de Nitrures : PHYSIQUE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DES HETEROSTRUCTURES DE GAN / ALN POUR L'OPTOELECTRONIQUE À 1,3 - 1,55 MICRON

Dans les annees 80-90 la physique et les applications des transitions intersousbandes ont connu un essor remarquable. Il reste aujourd'hui deux frontieres a explorer: l'extension vers les grandes longueurs d'onde du domaine THz et celle vers le proche infrarouge. Pour atteindre le domaine spectral des telecommunications par fibre optique, il faut disposer d'heterostructures presentant une discontinuite de potentiel elevee. Les heterostructures de GaN/AlN ont une discontinuite de potentiel en bande de conduction voisine de 1,75 eV et sont aujourd'hui les candidats les plus serieux pour le developpement de composants optoelectroniques unipolaires a 1,3-1,55 micron. Ce travail porte sur une etude experimentale et theorique des transitions intersousbandes dans des puits quantiques et boites quantiques de GaN/AlN.