Physique � L �chelle Atomique Des Couches Minces

Ce travail porte sur l'optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cintique. Les limites et les faiblesses de la modlisation continue ont t mis en vidence d'o la ncessit de la simulation l'chelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances. Diffrents mcanismes ont t introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette tude dans un systme un grand nombre d'atomes.La validation de notre simulation s'est effectue sur la base des donnes exprimentales obtenues l'aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montr que l'ajustement des paramtres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la temprature d'oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les rsultats obtenus: composition chimique des oxydes l'interface SiO2/Si,structure cristalline de l'oxyde natif sur le silicium,la rugosit,la distribution des dfauts en surface et les contraintes l'interface SiO2/Si.