Mod�lisation de la Mobilit� Des �lectrons Dans Les Semiconducteurs

Des materiaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont tres attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants electroniques, permet d'atteindre simultanement de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la consequence des proprietes remarquables des composes III-V a base d'azote que sont les nitrures. Des modeles de la mobilite des electrons dans nitrure de gallium ont ete developpes au paravent, mais leurs applications sont limitees car ils ne sont pas valables pour les basses temperatures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destine a developper des approches analytiques de la mobilite des electrons qui peuvent etre utilisees pour etudier le mecanisme de transport des electrons dans le GaN pour des larges gammes de temperatures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ electrique en utilisant les techniques evolutionnaires.