Transistor Mosfet Nanom�trique

La diminution soutenue des dimensions du transistor acclre la rencontre de la microlectronique avec la mcanique quantique et d'autres lois rgissent dsormais le transport des lectrons. La simulation des composants microlectroniques a donc besoin de nouvelles thories et techniques de modlisation amliorant la comprhension physique des dispositifs de taille nanomtrique. Ce livre prsente le principe des techniques volutionnaires (GA, PSO,...) et leurs applications dans le domaine de la modlisation des composants nanolectroniques. Le manuscrit donne les bases ncessaires la comprhension des GAs et l'optimisation par PSO. Il prsente l'tat de l'art des travaux rcemment publis et les plus significatifs dans le domaine de la modlisation compacte du transistor double-grilles et leurs limites de validit, et expose ensuite l'approche de la modlisation numrique du DG MOSFET aux dimensions ultimes base sur le formalisme des fonctions de Green hors-quilibre (NEGF). Finalement, des nouveaux modles analytiques optimiss qui permettent d'tudier le comportement du transistor DG MOSFET nanomtrique sont dvelopps en utilisant les techniques volutionnaires.