Propri�t�s �lectroniques Optiques Dynamiques Boites Quantiques Auto-Organis�es Coupl�es Substrat Inp

Cette thse est consacre l'tude des boites quantiques sur substrat InP. Ces boites sont tudies d'abord d'un point de vue thorique par une mthode de calcul de type kp huit bandes. L'influence de la composition de la boite (InAs ou InAsSb) ainsi que celle du substrat ((311)B ou (100)) est analyse en vue d'applications tlcoms ou pour la dtection de gaz entre 1.5 et 5 m. L'tude de ces boites quantiques est ensuite ralise d'un point de vue exprimental. Des techniques de spectroscopie varies (photoluminescence, magntophotoluminescence, spectroscopie d'absorption) sont utilises afin de dterminer les constantes fondamentales des boites quantiques. Il est ainsi montr que l'utilisation d'un alliage quaternaire InGaAsP comme matriau de recouvrement des boites est un choix judicieux pour les applications lasers. Dans un tel alliage, de fortes densits surfaciques de boites quantiques engendrent un couplage lectronique latral. Les temps caractristiques associs la dynamique des niveaux d'nergie dans les boites quantiques sont mesurs, et les consquences sur les composants boites quantiques sont discutes.