Etude Des Phenomenes Electrothermiques : Lies à l'amorphisation et à la cristallisation d'un matériau à changement de phase pour application aux memoires non volatiles

Les mmoires PC-RAM intgrent entre deux lectrodes un matriau changement de phase, le chalcognure Ge2Sb2Te5, qui peut basculer rversiblement entre un tat amorphe rsistif (OFF) et un tat cristallin conducteur (ON). Le but de la thse est d''tudier les phnomnes lectrothermiques intervenant lors de l''amorphisation et la cristallisation. Nous caractrisons les diffrences thermiques et lectriques des deux phases, notamment par la mesure de leur conductivit thermique (mthode 3 ), et par le trac des caractristiques lectriques I(V). Nous tudions galement en dtail les mcanismes de la transition OFF ON, pour laquelle nous mettons en vidence la formation d''un filament amorphe conducteur instable. Nous prsentons les rsultats des tests dynamiques effectus sur nos cellules microniques et submicroniques. Enfin, nous analysons quelques modlisations et simulations numriques, en montrant la difficult exprimentale viter la fusion lors du processus de cristallisation.