Holographie �lectronique Et Simulation Du Dopage

L'holographie lectronique "off-axis" est une technique de MET sensible la densit locale de porteurs, elle permet facilement une cartographie 2D du potentiel lectrostatique et, par son large champ de vue, une analyse des profils de dopants actifs, directement utilisable pour le calibrage des outils de simulation des procds. Les travaux de cette thse ont pour objet, d'une part l'tablissement de protocoles de prparation des chantillons, d'acquisition des donnes en holographie lectronique, et d'autre part la comparaison entre les rsultats de la mesure et ceux de la simulation numrique des procds de fabrication de la microlectronique. L'tude porte sur l'implantation d'Arsenic dans le canal de transistors 'nMOS', issus d'une technologie sur film mince (10 50nm). Cet ouvrage explore les capacits et les limites de l'holographie lectronique travers l'analyse d'chantillons de complexit croissante : depuis une image dans le vide un transistor de dernire gnration. Chaque tape est appuye par une confrontation aux modles mathmatiques existants, et la simulation numrique.